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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全92件中 61〜70件目を表示

  • 神奈川大，p型ダイヤモンド半導体の活性化に成功

    神奈川大学の研究グループは，イオン注入法を用いて，ダイヤモンド基板中にドーピングした不純物ボロンの実用レベルでの高効率p型活性化に，世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドはバンドギャップ5.5eVのワイ...

    2020.02.25

  • 2021年，300mmファブ製造装置投資額は600億ドル

    SEMIは，9月3日（米国時間），300mmファブの製造装置投資額が，2019年は減少するものの2020年に緩やかに回復し，2021年には600億ドルと過去最高記録を更新するとの予測を発表した（ニュースリリース）。 この...

    2019.09.04

  • 名大，Mgイオン注入法で高品質p型GaNを形成

    名古屋大学の研究グループは，GaNパワーデバイス製造工程で必須技術となる選択イオン注入による導電型制御に対して，Mgイオン注入による高品質p型GaNの形成を実現した（ニュースリリース（6頁））。 研究グループは，1989...

    2019.06.05

  • 名大，GaNチップの欠陥密度を1/30に低減

    名古屋大学の研究グループは，GaNパワーデバイスの大電力化に際して障害となっていたキラー欠陥密度を従来の30分の1に低減し，大電力（100A）チップの歩留まりを大幅に向上した（ニュースリリース（4P目））。 GaNパワー...

    2019.06.05

  • 名大，イオン注入によるp型GaN結晶の作製に成功

    名古屋大学の研究グループは，イオン注入後，超高圧化状態で熱処理することにより，安定したp型結晶を作製することに成功した（ニュースリリース）。 イオン注入によるウエハー面内での伝導型制御は，単元素半導体であるSiでは一般に...

    2019.06.04

  • 佐賀大ら，高品質β型酸化ガリウム膜形成技術を開発

    佐賀大学は，ノベルクリスタルテクノロジー，タムラ製作所と共同で，β型酸化ガリウムエピタキシャル膜の高品質化技術を開発した（ニュースリリース）。 酸化ガリウムは，現在パワーデバイス用材料として開発が進められている炭化ケイ素...

    2019.04.23

  • 名工大，SiCの電気特性をレーザーで非破壊検査

    名古屋工業大学はSiC結晶を壊すことなく，内部の電気特性を測る手法を世界で初めて開発した（ニュースリリース）。 大電力の電圧変換に用いられるパワーデバイスとして，シリコンカーバイド（SiC）の採用が期待されている。大きな...

    2018.12.19

  • NICTら，量産に適した縦型酸化ガリウムトランジスタを開発

    情報通信研究機構（NICT）は，東京農工大学と共同で，イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタの開発に成功した（ニュースリリース）。 現在，世界規模での革新的な省エネ技術開発が急務となっ...

    2018.12.13

  • 産総研ら，SiCを用いた次世代トランジスタ構造を開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，富士電機，住友電気工業，トヨタ自動車，東芝，三菱電機との共同で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し，S...

    2018.12.05

  • 三菱電機ら，ノイズの影響を受けにくいSiC半導体の動作原理を考案

    三菱電機と東京大学は，パワーエレクトロニクス機器に搭載されるSiCパワー半導体素子において，外部からの電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて考案した（ニュースリリース）。 パワーエレクトロニクス機器の，さらな...

    2018.12.04

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