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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全92件中 71〜80件目を表示

  • 住友電工ら，SiCトランジスタで最小オン抵抗を実現

    住友電気工業は，産業技術総合研究所（産総研）らとの共同研究で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いたV溝型スーパージャンクショントランジスタを開発し，SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した（ニュースリリース）。 同社...

    2018.12.04
  • 京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京都大学と京都大発ベンチャーのFLOSFIAは共同で，新規材料によるパワーデバイスとして，コランダム構造の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し，ノーマリーオフ動作を実証すること...

    2018.08.20

  • JFCCら，大面積のGaN結晶から各種欠陥を検出

    ファインセラミックスセンター（JFCC）と高エネルギー加速器研究機構（KEK）は共同で，GaN結晶に含まれる様々な欠陥を短い測定時間且つ非破壊で検出するX線トポグラフィ観察法を確立し，欠陥種類と大面積にわたる各種欠陥の分...

    2018.07.10

  • 名大ら，GaNナノワイヤーのドーパント分布を可視化

    名古屋大学とファインセラミックスセンター（JFCC）は，高感度電子線ホログラフィーを用いて，GaNナノワイヤー内部のドーパント分布を観察することに成功した（ニュースリリース）。 窒化ガリウム（GaN）ナノワイヤーは，直径...

    2018.07.06

  • 東工大，半導体の少数キャリア寿命を正確に測定

    東京工業大学は，ストライプ状に形成したpn接合ダイオードの電流－電圧特性を測定することにより，パワーデバイス用シリコンウエハーの少数キャリア寿命を抽出する新しい評価方法を確立した（ニュースリリース）。 省エネルギー化を進...

    2018.06.25

  • 名大，高信頼性GaN結晶製造要素技術を開発

    名古屋大学は，GaN基板上のGaNのpnダイオードにおいて，逆方向高電圧印加時のリークの起源となるキラー欠陥の特定に成功した。また，エピタキシャル成長時，大気圧で行なうことにより，キラー欠陥の増殖を抑制できることも明らか...

    2018.06.13

  • 産総研ら，ラマン散乱でGaN欠陥を検出

    産業技術総合研究所（産総研）と名古屋大学は共同で，ラマンマッピング像から窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発した（ニュースリリース）。 次世代パワーデバイスや高輝度発光デバイスとして期待され，研究開...

    2018.05.23

  • 名大，GaNパワーデバイス向け要素技術を加発

    名古屋大学の研究グループは，縦型GaNパワーデバイスの低抵抗なゲート構造を形成するための低ダメージ溝（トレンチ）加工技術を開発するとともに，GaNパワーデバイスに使用する高性能ゲート絶縁膜を開発した（ニュースリリース）。...

    2018.05.21

  • 東芝，GaN-MOSFETの信頼性を向上するプロセスを開発

    東芝は，次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるGaNパワーデバイス向けに，信頼性向上に繋がるゲート絶縁膜プロセス技術を開発した（ニュースリリース）。 この技術により，閾値電圧変動等の特性変動が大幅に低減できる。この...

    2017.12.07

  • 三菱電機ら，SiCパワー半導体の抵抗要因の影響度を解明

    三菱電機と東京大学は，世界で初めて，パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明するとともに，要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により，界...

    2017.12.07

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