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トランジスタ

トランジスタの記事一覧

全72件中 61〜70件目を表示

  • 東北大ら，GaNトランジスタの表面電子捕獲をその場分析

    東北大学，住友電気工業，東京大学，物質・材料研究機構，高エネルギー加速器研究機構，東京理科大学は共同で，GaN-HEMTの出力低下をもたらす表面電子捕獲のナノスケールの定量分析および，その抑制機構の解明にはじめて成功した...

    2018.09.07

  • 富士通，窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功

    富士通と富士通研究所は，気象レーダーなどのパワーアンプ（増幅器）に適用可能な窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）において，大電流化と高電圧化を同時に達成する結晶構造を開発し，マイクロ波帯の送信用トラン...

    2018.09.07

  • 京大ら，超薄膜Ptにトランジスタ特性を発見

    京都大学は三重大学と共同で，金属である白金を極めて薄い膜（超薄膜）にしたとき，シリコンなどの半導体で実現されるトランジスタ特性（材料の抵抗を外部電圧で制御する特性）が現れること，さらにそれに伴って白金がスピンを電流に変換...

    2018.08.09

  • NIMS，磁気でイオンを輸送するトランジスタを開発

    物質・材料研究機構（NIMS）は，電圧でなく磁気でイオンを輸送するという，従来と全く異なる原理で動作するトランジスタの開発に成功した (ニュースリリース）。 電気エネルギーと化学エネルギーを変換する電気化学デバイスは，電...

    2017.09.08

  • NIMS，分子を用いた縦型共鳴トンネルトランジスタを開発

    物質・材料研究機構（NIMS）の研究グループは，分子を量子ドットとして用いた縦型共鳴トンネルトランジスタの作製および動作の実証に成功した（ニュースリリース）。 シリコンデバイスと同じ微細化プロセスを適応し，分子の持つ離散...

    2017.08.02

  • 東レ，塗布型半導体CNTで世界最高の移動度を達成

    東レは，半導体型単層カーボンナノチューブ（CNT）において，塗布型半導体として世界最高となる従来比2倍の移動度81cm2/Vsを達成した（ニュースリリース）。 この成果により，IoT時代において必須ともいえる通信距離の長...

    2017.02.06

  • 東北大ら，サブ10nm・3次元フィン型Geトランジスタを作製

    東北大学の研究グループは，台湾の国立交通大學（NCTU），国立ナノデバイス研究所（NDL）と共同で，独自技術である超低損傷・中性粒子ビーム技術（加工，酸化プロセス）を用いた「高性能サブ10nm・３次元フィン型ゲルマニウム...

    2016.12.07

  • 東工大ら，微細化でシリコンIGBTを高効率化

    東京工業大学と東京大学，九州工業大学，明治大学，産業技術総合研究所，東芝，三菱電機らは，シリコンによる電力制御用の絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（IGBT）をスケーリング（微細化）することで，コレクタ-エミッタ間飽和...

    2016.12.07

  • 産総研，新原理の超低消費電力LSIを開発

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）プロジェクト「エネルギー・環境新技術先導プログラム／ULPセンサモジュールの研究開発」における成果をもとに，産業技術総合研究所（産総研）は0.2～0.3Vの超低消費電力で駆動...

    2016.12.05

  • NIMSら，光で多彩な有機トランジスタ機能を描画

    物質・材料研究機構（NIMS）と京都大学は共同で，光異性化分子の薄膜に光を照射することで，トランジスタ回路などさまざまなデバイスを描画することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 光異性化分子は，光照射によって絶...

    2016.11.18

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