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トランジスタ

トランジスタの記事一覧

全72件中 51〜60件目を表示

  • NEDOら，単結晶ダイヤ基板のGaN-HEMTを開発

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），三菱電機，産業技術総合研究所は，高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）を世界で初めて...

    2019.09.03

  • 東工大，高安定電子輸送型高分子トランジスタを開発

    東京工業大学の研究グループは，環境負荷が低い直接アリール化重縮合法を用いて，電子アクセプター性の芳香環構造だけからなる電子輸送型（n型）の有機半導体高分子を合成した（ニュースリリース）。 最近，電子移動度が高い有機半導体...

    2019.08.09

  • 静大，トランジスタ界面欠陥を高精度で観測

    静岡大学は，シリコン・トランジスタの界面欠陥を高精度で観測する技術を確立した（ニュースリリース）。 トランジスタの性能は界面近傍に存在する欠陥により大きく劣化するため，界面欠陥を高精度で観測する評価手法が必要とされていた...

    2019.06.25

  • JAXAら，宇宙機向け集積回路の少量多品種生産を実証

    宇宙航空研究開発機構（JAXA）と産業技術総合研究所（産総研）は、少量生産システム（ミニマルファブ）の宇宙開発利用に係る共同研究を実施し，ミニマルファブで宇宙用を視野に入れた集積回路が製造可能であることを世界で初めて実証...

    2019.05.13
  • 東工大，水素結合による高分子トランジスタを開発

    東工大，水素結合による高分子トランジスタを開発

    東京工業大学は，世界最高レベルの電子移動度7.16cm2V-1s-1を示し，かつ電子輸送型（n型）のみで作動する高分子トランジスタの開発に成功した（ニュースリリース）。 アモルファスシリコンの移動度を超える高い移動度を実...

    2019.02.28

  • 静大ら，電力供給なしにトランジスタの電流を増幅

    静岡大学は，日本電信電話（NTT），北海道大学らと共同で，電力供給なしにトランジスタの電流を増幅させることに成功した（ニュースリリース）。 現在の情報化社会を基盤から支えるコンピュータの高性能化は，その構成部品であるトラ...

    2018.12.18

  • NICTら，量産に適した縦型酸化ガリウムトランジスタを開発

    情報通信研究機構（NICT）は，東京農工大学と共同で，イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタの開発に成功した（ニュースリリース）。 現在，世界規模での革新的な省エネ技術開発が急務となっ...

    2018.12.13

  • 産総研ら，SiCを用いた次世代トランジスタ構造を開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，富士電機，住友電気工業，トヨタ自動車，東芝，三菱電機との共同で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し，S...

    2018.12.05

  • 東大，強誘電体トランジスタとメモリの動作原理を解明

    東京大学は，強誘電体であるHfO2（二酸化ハフニウム）をゲート絶縁膜とするトランジスタが，より低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した（ニュースリリース）。 さらにHfO2をトンネル層とする強誘電体トンネル接合（FTJ）...

    2018.12.04

  • 住友電工ら，SiCトランジスタで最小オン抵抗を実現

    住友電気工業は，産業技術総合研究所（産総研）らとの共同研究で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いたV溝型スーパージャンクショントランジスタを開発し，SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した（ニュースリリース）。 同社...

    2018.12.04

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