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  • 産総研ら,AIで不要な細胞をレーザー除去

    産業技術総合研究所(産総研),理化学研究所,筑波大学,片岡製作所,名城大学,iPSポータルらは,光応答性ポリマーとレーザーを用いて,機械学習の一手法であるディープラーニング(深層学習)に基づき,培養細胞を高速に自動処理す...

    2018.12.10
  • 関学,半導体ナノ粒子の意図的な配列に成功

    関西学院大学は,有機色素が自然と集まる性質(自己集合)を利用して,球状の半導体ナノ粒子を意図的に並べることに成功した(ニュースリリース)。 球状の半導体ナノ粒子(量子ドット)は,粒径に依存して発光色が変化する次世代の発光...

    2018.12.10
  • 2017年車載用ディスプレー市場,前年比106.8%の1億4,868万枚

    矢野経済研究所は,車載用ディスプレー市場を調査し,純正品・市販品別出荷数量,部位別やインチ別の市場動向,価格動向などを明らかにした(ニュースリリース)。 それによると,純正品に市販品を加えた,2017年の車載用ディスプレ...

    2018.12.10
  • ノヴァンタ・ジャパン,シンラッド社製品営業を本格化

    米ノヴァンタの日本法人であるノヴァンタ・ジャパンは,グループ傘下のシンラッド社製封じ切りタイプのCO2レーザーの営業を本格化する(会社HP)。 シンラッド社製レーザーの国内販売はカンタムエレクトロニクスが行なってきたが,...

    2018.12.10
  • 天田財団,平成30年度前期助成先を決定-助成金目録贈呈式典を開催

    天田財団,平成30年度前期助成先を決定-助成金目録贈呈式典を開催

    平成30年度天田財団助成式典が2018年12月1日,FORUM246(神奈川県伊勢原市)において開催された。今回の助成件数は100件で,そのうち,レーザプロセッシング分野の研究開発助成件数は41件となった。助成額は1億3...

    2018.12.05
  • DNP,タブレットの書き心地が向上するフィルムを開発

    大日本印刷(DNP)は,タブレット端末に電子ペンで入力する際のペン先の滑りを抑えて,書き心地を向上させるフィルムを開発した(ニュースリリース)。 文部科学省は2020年の学習指導要領改訂に合わせ,これからの社会で必要とな...

    2018.12.04
  • NTTら,ダイヤモンドからの超放射を実現

    日本電信電話株式会社(NTT),オーストリア ウィーン工科大学,国立情報学研究所は,固体量子系からのマイクロ波の超放射を実証した(ニュースリリース)。 原子は,励起状態からもとの状態へ戻るときにエネルギーを光子として放出...

    2018.12.04
  • ドコモら,メタマテリアル反射板で5Gエリア拡大に成功

    NTTドコモ(ドコモ)は,ミリ波レーダー技術を開発する米スタートアップMetawave Corp.と連携し,第5世代移動通信方式(5G)の実現に向け,11月29日に,28GHz帯5G実験装置で構築された5Gトライアルサイ...

    2018.12.04
  • 三菱電機ら,ノイズの影響を受けにくいSiC半導体の動作原理を考案

    三菱電機と東京大学は,パワーエレクトロニクス機器に搭載されるSiCパワー半導体素子において,外部からの電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて考案した(ニュースリリース)。 パワーエレクトロニクス機器の,さらな...

    2018.12.04
  • 住友電工ら,SiCトランジスタで最小オン抵抗を実現

    住友電気工業は,産業技術総合研究所(産総研)らとの共同研究で,炭化ケイ素(SiC)半導体を用いたV溝型スーパージャンクショントランジスタを開発し,SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した(ニュースリリース)。 同社...

    2018.12.04

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