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AlGaNの記事一覧

全7件中 1〜7件目を表示

  • 三重大ら，縦型AlGaN系深紫外LD基板の剥離法を開発

    三重大学と名城大学は，高光出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーを実現するために不可欠である，縦型AlGaN系深紫外半導体レーザーの開発において，半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発し，...

    2023.10.30

  • 名城大ら，縦型AlGaN系UV-B半導体レーザー開発

    名城大学，三重大学，ウシオ電機，西進商事は，高光出力深紫外半導体レーザー実現に必要不可欠である縦型AlGaN系深紫外（UV-B）半導体レーザーを開発した（ニュースリリース）。 半導体レーザーの光出力は，その効率と注入電流...

    2023.10.18

  • 東大，AlGaNのスパッタリングでの合成に成功

    東京大学の研究グループは，安価なスパッタリング法で品質の高い窒化物半導体結晶を合成する手法を開発し，さらに，縮退GaNと呼ばれる新しい電極結晶を合成し，これをAlGaNと接触させることによって抵抗の低い高性能AlGaNト...

    2022.07.06

  • 工学院ら，200nm以下のUV半導体材料を開発

    工学院大学，京都大学の研究グループは，水銀（Hg）や希ガス（アルゴン，クリプトン，キセノンなど）の放電を用いることなく，200nm以下の短い波長を含む深紫外線を発光可能な半導体材料の開発に成功した（ニュースリリース）。 ...

    2020.03.26

  • 東北大，波長選択比世界最高の深紫外光検出器開発

    東北大学の研究グループは窒化アルミニウムガリウム（AlGaN）混晶の半導体材料を用いて，材料の組成を調整することで検出する深紫外線の種類を選ぶことができ，室内照明光に対する深紫外光の検出感度比が105を超える（世界最高水...

    2020.03.02

  • 名城大ら，UV-B半導体レーザーを開発

    名城大学，三重大学，旭化成の研究グループは，世界初の中波長紫外線（UV-B波長領域）半導体レーザーを発明した（ニュースリリース）。 中波長紫外線領域のレーザーを実現するためにはバンドギャップエネルギーが3.8～4.4eV...

    2020.02.19

  • 東北大ら，深紫外発光素子の高効率動作構造を解明

    東北大学は，創光科学，名古屋大学，名城大学と共同で，深紫外（DUV）波長領域で動作するサファイア基板上に作製された窒化アルミニウムガリウム（AlGaN）発光ダイオード（LED）（AlGaN LED）の高効率動作メカニズム...

    2019.02.01

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