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不揮発性メモリ

不揮発性メモリの記事一覧

全10件中 1〜10件目を表示

  • 東大，不揮発性メモリ素子が壊れる瞬間を可視化

    東京大学の研究グループは，世界で初めて二酸化ハフニウム（HfO2）系強誘電体が絶縁破壊を起こす様子を電極越しに可視化することに成功した（ニュースリリース）。 HfO2系強誘電体は薄膜でも十分な強誘電性を持ち，高密度集積が...

    2023.10.25

  • 東大，強誘電体トランジスタを用いた光位相器を開発

    東京大学の研究グループは，化合物半導体薄膜をシリコン光導波路上に貼り合わせた光位相器を，強誘電体をゲート絶縁膜としたトランジスタで駆動する新たな手法を考案し，強誘電体をメモリとして用いることで，電源をオフにしても光位相の...

    2023.10.10

  • 東北大，5nm以下のMTJ素子で3.5nsの高速書込

    東北大学の研究グループは，高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合（MTJ）（STT-MRAM の情報記憶素子）の構造を提案し，5nm以下の直径を有するMTJ素子で3.5ナノ秒までの高速書き込み動作...

    2021.12.14

  • 東工大，強誘電性の窒化物強誘電体を薄膜化

    東京工業大学は，強誘電体の中で最も高い強誘電性を持つことが報告されている窒化アルミニウムスカンジウムについて，スカンジウムを低濃度にすることによって，従来よりも高い強誘電性を発現する膜の作製に成功した（ニュースリリース）...

    2020.09.24

  • 東大，IGZOと不揮発性メモリを3D集積

    東京大学の研究グループは，極薄の酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを三次元集積したデバイスの開発に成功した（ニュースリリース）。 通常のメモリ配列は二次元構造であり，ネットワークのモデルが...

    2020.06.15

  • 東大ら，ワイル粒子で反強磁性体メモリを実証

    東京大学，理化学研究所（理研）の研究グループは，反強磁性体中において，幻の粒子「ワイル粒子」の電気的制御に成功し，ワイル粒子の作る巨大電圧信号を利用した不揮発性メモリの動作原理を実証した（ニュースリリース）。 反強磁性体...

    2020.04.21

  • 理研ら，発熱を抑えてスキルミオンを生成

    理化学研究所（理研），東京大学，物質・材料研究機構の研究グループは，「表面弾性波」と呼ばれる物質表面を伝わる超音波により，発熱を抑えながら「スキルミオン」を生成することに成功し，その生成過程を明らかにした（ニュースリリー...

    2020.04.01

  • 東北大，MnTe薄膜に超高速な光学特性変化を発見

    東北大学の研究グループは，MnTe化合物薄膜が，ジュール加熱やレーザー加熱といった高速加熱による多形変化により，大きな電気的・光学的特性変化（電気抵抗：2桁～3桁変化，光学反射率：～25%変化）を生じる事を見出した（ニュ...

    2020.01.08

  • 産総研ら，不揮発性磁気メモリの電圧駆動書込方式を開発

    内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，東芝と産業技術総合研究所の研究開発チームは，電圧駆動型の不揮発性磁気メモリ「電圧トルクMRAM」の書き込みエラー...

    2016.12.05

  • 理研，電流パルスで磁壁をトラップする技術を開発

    理化学研究所（理研），物質・材料研究機構の共同研究チームは，電流パルスにより磁壁を決まった位置に素早く止めるトラップ技術を理論的に発見した（ニュースリリース）。 高密度の次世代不揮発性メモリで磁気抵抗メモリ（MRAM）や...

    2016.09.20

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