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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全92件中 11〜20件目を表示
  • 名大ら，AlN系UWBG半導体で理想的なpn接合実現 

    名大ら，AlN系UWBG半導体で理想的なpn接合実現 

    名古屋大学と旭化成は，次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム（ALN）系材料において，理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 現在広く使われている半導体材料であるシ...

    2023.12.15
  • 公大ら，高放熱性窒化ガリウムトランジスタを実現

    公大ら，高放熱性窒化ガリウムトランジスタを実現

    大阪公立大学，東北大学，中国北京大学，地球上で最も高い熱伝導率をもつダイヤモンドを基板に用いたGaNトランジスタを作製し，SiC基板上に作製した同一形状のトランジスタと比べて，放熱性を2倍以上高めることに成功した（ニュー...

    2023.12.04

  • 東大，誘電体の熱励起表面波の分光測定に成功

    東京大学の研究グループは，熱揺らぎによって物質表面に発現する熱励起エバネッセント波を，ナノスケール分解能で分光測定する技術を開発した（ニュースリリース）。 微細パターン内で生じる熱励起雑音の同定技術として，研究グループで...

    2023.10.31

  • 東北大ら，結晶構造が異なるSiC同士の積層に成功

    東北大学と技術コンサルタントのCUSICは，3C-SiCと4H-SiCを積層させたハイブリッド構造基板を同時横方向エピタキシャル成長法を用いて製作することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 SiCの単結晶基板を...

    2023.09.29

  • OKIら，QST基板上でGaNの剥離／接合技術を開発

    OKIは，信越化学工業と共同で，信越化学が独自改良したQST基板からOKIのCFB技術を用いてGaN（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し，異種材料基板へ接合する技術の開発に成功した（ニュースリリース）。 GaNデバイスは，...

    2023.09.05

  • 三菱電機，12インチパワー半導体生産ラインを設置

    三菱電機は，パワー半導体の製造（ウエハープロセス工程）を行なうパワーデバイス製作所 福山工場に，12インチSi（ケイ素）ウエハー対応生産ラインの設置を完了したと発表した（ニュースリリース）。 近年，脱炭素社会の実現に向け...

    2023.08.30

  • 澁谷工業，半導体製造装置メーカーをグループ会社に

    澁谷工業は，半導体製造装置メーカーである綜和機電と株式譲渡契約を締結し，半導体製造装置分野の製造販売の強化を図るために，グループ会社とすることを決定した（ニュースリリース）。 綜和機電はICパッケージを検査するテストハン...

    2023.08.17

  • 2030年パワー半導体市場，369億8,000万ドルに

    矢野経済研究所は，パワー半導体の世界市場の調査を実施することで，市場概況や採用動向，個別メーカの設備投資計画や製品戦略を明らかにし，2030年までの世界市場規模予測について公表した（ニュースリリース）。 それによると，2...

    2023.05.23

  • 凸版，パワー半導体事業に参入

    凸版印刷は，パワー半導体向けの受託製造ハンドリングサービスを2023年4月より提供開始した（ニュースリリース）。 パワー半導体は，その需要が増大する一方で，製造キャパシティの増強は限定的であるため，需要に対して供給が追い...

    2023.05.09
  • semi

    佐賀大，ダイヤモンド半導体パワー回路を開発

    佐賀大学の研究グループは，次世代の究極のパワー半導体のダイヤモンド半導体デバイスで，世界で初めてパワー回路を開発した（ニュースリリース）。 ダイヤモンド半導体は，従来のシリコン，シリコンカーバイド，窒化ガリウム，と比べ，...

    2023.04.21

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