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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全92件中 31〜40件目を表示

  • 2030年パワー半導体市場，5兆3,587億円に

    富士経済は，電動車や再生可能エネルギーの普及により需要増加が期待されるパワー半導体の世界市場を調査し，その結果を「2022年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」にまとめた（ニュースリリース）。...

    2022.06.01

  • 昭和電工のSiCウエハー技術，NEDOプロに採択

    昭和電工は，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）が実施者を公募したグリーンイノベーション基金事業「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトの研究開発項目の一つである「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」...

    2022.05.31

  • 名大ら，GaN基板のレーザースライス技術を開発

    名古屋大学と浜松ホトニクスは，レーザーを用いてGaN基板をロスなく短時間でスライスする技術を発明した（ニュースリリース）。 脱炭素社会，持続可能な社会のためには電力の効率的な利用は欠かせない。電力の効率的な利用のためのパ...

    2022.05.31

  • 東北大ら，高品質な窒化ガリウム結晶を作製

    東北大学，日本製鋼所，三菱ケミカルは，低圧酸性アモノサーマル法において，高品質なシード（種結晶）を用いることにより結晶性がよく，高純度な窒化ガリウム結晶の成長を確認した（ニュースリリース）。 電力制御を担う高周波パワート...

    2022.05.26

  • 東北大ら，坩堝を使わずに酸化ガリウム結晶作製

    東北大学発ベンチャーのC&Aと東北大学は，貴金属ルツボを使用しない新規結晶育成手法Oxide Crystal growth from Cold Crucible（OCCC）methodを開発し，次世代のパワー半...

    2022.04.04

  • 名工大ら，中性子ホロでSiCのドーパントを観察

    名古屋工業大学，茨城大学，広島市立大学，日本原子力研究開発機構は，研究グループで開発・実用化した日本発「白色中性子ホログラフィー」を用いて，代表的パワーデバイス半導体材料である炭化ケイ素（SiC）の微量添加元素であるホウ...

    2022.04.04

  • 阪大ら，銅基板同士を大面積に銀塩焼結接合

    大阪大学とトッパン・フォームズは，新たな銀塩焼結接合技術の開発により無垢銅基板同士の接合において，これまでを上回る大面積接合（35mm×35mm）を実現し，接合強度も50MPa（メガパスカル）以上と，ハンダによる接合を上...

    2022.03.15

  • NEDOプロ，パワー半導体ウエハーの欠陥を1/10に

    ノベルクリスタルテクノロジーと佐賀大学は，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）プロジェクトにおいて，酸化ガリウムパワーデバイスの大電流化を阻害していた耐圧特性を劣化させる欠陥（キラー欠陥）を従来の1/10に低減...

    2022.03.14

  • 大陽日酸ら，HVPEで6in基板に酸化ガリウム成膜

    大陽日酸，東京農工大学，ノベルクリスタルテクノロジーは，HVPE法による6インチウエハー上の酸化ガリウム成膜に世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 酸化ガリウム（β-Ga2O3）は，炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウ...

    2022.03.02
  • 産総研，GaN/SiCハイブリッドトランジスタを作製

    産総研，GaN/SiCハイブリッドトランジスタを作製

    産業技術総合研究所（産総研）は，窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した，ハイブリッド型トランジスタの作製と動作実証に初めて成功し...

    2021.12.13

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