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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全92件中 21〜30件目を表示

  • 東大ら，高周波/パワーデバイスの2次元電子ガス観察

    東京大学とソニーグループは，半導体界面に蓄積された2次元電子ガスの直接観察に成功した（ニュースリリース）。 GaN系デバイスは高効率のLEDやLDの素材であるほか，絶縁破壊強度と飽和電子速度の高さから次世代の通信用高周波...

    2023.03.22

  • NAISTら，ダイヤ半導体の絶縁膜の欠陥構造を決定

    奈良先端科学技術大学院大学（NAIST），近畿大学，大阪大学，台湾成功大学は，ダイヤモンドとその上に形成されたアルミナ絶縁膜の間に形成される欠陥の立体原子配列を決定した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドは放熱性や耐電圧...

    2023.02.22

  • 名工大，SiCパワー半導体で長いキャリア寿命を測定

    名古屋工業大学の研究グループは，超高耐圧シリコンカーバイド（SiC）パワー半導体の性能を決定するキャリア寿命を測定し，高品質SiC結晶では高い励起キャリア濃度においては従来の値よりもキャリア寿命が長いことを発見した（ニュ...

    2023.01.13

  • 公大ら，3C-SiCの高い熱伝導率を実証

    大阪公立大学と米イリノイ大学，エア・ウォーター，東北大学，米ジョージア工科大学は，半導体材料3C-SiCが理論値に相当する高い熱伝導率を示すことを，熱伝導率の評価と原子レベルの解析から初めて実証した（ニュースリリース）。...

    2022.12.16

  • JFCCら，パワー半導体の結晶欠陥イメージングに成功

    ファインセラミックスセンター（JFCC），ノベルクリスタルテクノロジー，兵庫県立大学は，X線回折現象の一つである「異常透過現象」を利用し，世界で初めてβ-Ga2O3結晶内部の様々な格子欠陥を短い測定時間且つ非破壊で全数可...

    2022.12.09

  • オンセミ，チェコのSiC製造設備を拡張

    米オンセミは，チェコ共和国の炭化ケイ素（SiC）製造施設拡張を完了したと発表した（ニュースリリース）。 同社は2019年から，同国に既存のシリコン・ポリッシュド・ウエハーおよびエピタキシーウエハー及びダイ製造に加え，Si...

    2022.09.29

  • 立命大ら，パワー半導体の開発とバンドギャップ制御

    立命館大学，京都大学，東京都立産業技術研究センター，立命館大学は，次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型GeO2（r-GeO2）を中心としたルチル型酸化物半導体混晶系を新たに提案するとともに，実験と計算からの...

    2022.09.12

  • 関学ら，SICウェハーの全面加工歪みを光学検出

    関西学院大学，豊田通商，山梨技術工房は，パワー半導体材料であるSiC（炭化ケイ素）ウエハーの製造プロセスで生じる結晶の歪み（加工歪み層）を検査する技術を共同で開発した（ニュースリリース）。 現在普及しているパワー半導体材...

    2022.09.09

  • 東大，AlGaNのスパッタリングでの合成に成功

    東京大学の研究グループは，安価なスパッタリング法で品質の高い窒化物半導体結晶を合成する手法を開発し，さらに，縮退GaNと呼ばれる新しい電極結晶を合成し，これをAlGaNと接触させることによって抵抗の低い高性能AlGaNト...

    2022.07.06

  • 名大ら，ウエハーの転位・ひずみの分布を可視化

    名古屋大学とMipoxは，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のプロジェクトにおいて，半導体基板を製造する際に発生する結晶欠陥（転位）をカウントするシステムの構築と，ウエハー全体の転位やひずみの分布を直感的に分...

    2022.06.30

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