単色波長可変THz波光源で明らかにする半導体キャリア特性

謝辞

本研究にあたり,古河機械金属㈱の薄善行,渡辺泰史,碓井彰各位にはご支援と有益な議論を頂きました。用いた焦電検出器はジャスコオプト社と共同開発したものであり,古河機械金属㈱の千葉善幸,砂川晴夫両氏にGaNウエハー試料の提供頂きました。また,技術的な支援を理研の鎌田優子,齋藤美紀子,庄子鉄雄,および東北大学電気通信研究所の田久長一,今野勇治の諸氏より頂きました。感謝申し上げます。

参考文献
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26)A. Hamano, S. Ohno, H. Minamide, H. Ito, Y. Usuki, “High-Sensitivity High-Resolution Full-Wafer Imaging of the Properties of Large n-Type SiC Using the Relative Reflectance of Two Terahertz Waves”, Materials Science Forum 778, 491 (2014).

27)大野誠吾,伊藤弘昌,南出泰亜,濱野哲英,特許第5601562号“移動度測定装置及びその方法,並びに,抵抗率測定装置及びその方法”.

■Tunable monochromatic THz-wave light source reveals carrier properties in semiconductors
■①Seigo Ohno ②Hiroaki Minamide ③Hiromasa Ito ④Akihide Hamano

■①〜③RIKEN ④FURUKAWA CO., LTD.

①オオノ セイゴ
所属:国立研究開発法人理化学研究所(現所属:東北大学/国立研究開発法人理化学研究所)
②ミナミデ ヒロアキ ③イトウ ヒロマサ
所属:国立研究開発法人理化学研究所
④ハマノ アキヒデ

所属:古河機械金属㈱(現所属:古河電子㈱))

(月刊OPTRONICS 2016年12月号)

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