ヌヴォトン テクノロジーは、直径9.0mmのCANパッケージ（TO-9）において、業界最高クラスの光出力を実現した「高出力4.5W紫色（402 nm）半導体レーザ」の量産を開始すると発表した（ニュースリリース）。
同製品は、同社独自のデバイス構造と放熱設計技術により、従来製品比で光出力を1.5倍に向上。マスクレス露光装置などの光学装置における生産スループット向上に寄与する。また、ラインナップの拡充により、先端半導体パッケージで用いられる複数の主要感光材料への対応が可能となる。
紫色帯の半導体レーザーは、光電力変換効率が比較的低く自己発熱が大きいことに加え、短波長光に起因する素子劣化が課題とされてきた。これに対し同社は、2026年1月に発表した紫外（379 nm）半導体レーザーで採用した高効率デバイス構造と高放熱パッケージ技術を本製品にも適用。さらに、レーザー端面の劣化要因を抑制する独自の保護膜技術を組み合わせることで、高出力と高信頼性の両立を実現した。
本製品は、AI需要の拡大を背景に成長が続く先端半導体パッケージ分野において、マスクレス露光技術向け光源としての活用が期待される。従来より求められてきたi線（365 nm）およびh線（405 nm）近傍の波長対応と高出力化に応える製品として、同社は379 nm帯製品に加え、本402 nm製品を新たにラインナップに追加する。これにより、複数の主要感光材料に対応可能な光源を一貫して提供できる体制を整えた。
さらに同製品は、水銀灯代替ソリューションの一環としても位置付けられる。h線（405 nm）は光硬化や3Dプリンティング、センシング、バイオメディカル、マーキングなど幅広い分野で利用されており、同製品はこれら用途に対する新たな代替光源としての役割も担う。高出力特性を生かし、プロセスの高効率化や新たな光アプリケーションの創出にも貢献するとしている。
なお、同製品は2026年5月に量産を開始予定。また、「OPIE’26」の同社ブースにて展示を予定している。
