SEMIは6月12日（米国時間），半導体産業の前工程ファブ装置への投資額が，3年連続で更新される見込みが高まり，2018年は前年比14%増，2019年は同9%増となると発表した（ニュースリリース）。
この予測は，SEMIが発行した最新のレポートに基づくもので，2019年には歴史的な4年連続成長を記録することになる。SEMIが調査している範囲では，過去に4年以上の連続成長が見られたのは，1993年～1997年の5年連続成長だけであり，今回はこれに次ぐもの。Samsungが世界のファブ装置投資の首位に立つとともに，拡大する中国は他地域を成長率で上回っており，韓国と中国が成長をけん引することになるという。
Samsungは2018年にファブ装置投資を減額することを予測するが，依然として，韓国の全ファブ装置投資額の70%を占めるとする。他方，SK Hynixは今年の投資を増額している。
中国のファブ装置投資は2018年に65%，2019年に57%増額することが予測されるという。中国の投資額の内，2018年は58%，2019年は56%がIntel，SK Hynix，TSMC，Samsung，GLOBALFOUNDRIESなどの外資系企業によるもの。巨額の政府支援を受けた中国企業は，現在，相当数の新しいファブを建設中であり，2018年から装置の搬入が始まることになるという。各社のファブ装置投資額は，2018年，2019年にそれぞれ倍増することを予測する。
その他の地域もファブ装置への投資を増額している。日本の投資は，2018年に60%増額する。特に増額が大きいのは，東芝，ソニー，ルネサスエレクトロニクス，Micronの各社。
ヨーロッパおよび中東地域は，Intel，GLOBALFOUNDRIES，Infineon，STMicroelectronicsなどの増額により，2018年のファブ装置投資額が12%伸びるとしている。
東南アジアも，2018年にファブ装置投資額が30%増加するが，他地域と比較すると同地域の投資は少額。主な投資企業は，Micron，Infineon，GLOBALFOUNDRIESだが，そのほかにOSRAMやamsも投資を増額しているという。
