イベントカレンダー
検索ワード
期間
〜

ニュース

全17646件中 10171〜10180件目を表示

  • 富士通，SiC基板と単結晶ダイヤモンドを常温接合

    富士通と富士通研究所は，炭化シリコン（SiC）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を世界で初めて開発した（ニュースリリース）。 近年，高周波GaN-HEMTパワーアンプはレーダーや無線通信などの長距離電波用途に広...

    2017.12.08

  • 名工大，金属3Dプリンターに特化した金属粉末を開発

    名古屋工業大学の研究グループは，従来材と比較して，内部欠陥が少なく，微細な組織を有する高品質な造形品の製造を可能とする積層造形（3Dプリンター）に特化した新規金属粉末の開発に成功した（ニュースリリース）。 3Dプリンター...

    2017.12.07

  • 東芝，GaN-MOSFETの信頼性を向上するプロセスを開発

    東芝は，次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるGaNパワーデバイス向けに，信頼性向上に繋がるゲート絶縁膜プロセス技術を開発した（ニュースリリース）。 この技術により，閾値電圧変動等の特性変動が大幅に低減できる。この...

    2017.12.07

  • 東大，量子もつれ光子対から電子と光子の対を生成

    東京大学の研究グループは，量子力学の重要な性質である量子もつれ相関を持つ1対の光子から，1個の電子と1個の光子の対が生成できることを世界で初めて実証した（ニュースリリース）。 これまで量子もつれ相関は，光子同士や電子スピ...

    2017.12.07

  • 三菱電機ら，SiCパワー半導体の抵抗要因の影響度を解明

    三菱電機と東京大学は，世界で初めて，パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明するとともに，要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により，界...

    2017.12.07

  • 中央大，3D NANDメモリのエラーとメモリ寿命を改善

    中央大学の研究グループは，大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリにおける垂直方向の電荷の移動がメモリセルの信頼性を劣化させることを明らかにした。そして電荷移動を抑制する手法を開発し，データ保持中のメモリのエラー...

    2017.12.07

  • 筑波大，ガラス上Ge薄膜の正孔移動度を大幅向上

    筑波大学の研究グループは，ガラス上に合成した半導体薄膜として最高の正孔移動度を持つゲルマニウム（Ge）薄膜の開発に成功した（ニュースリリース）。 Geは，光検出器や高効率太陽電池の基板材料として利用されている他，シリコン...

    2017.12.06

  • 日立ら，ホログラフィー電顕で最高分解能の磁場観察

    日立製作所と理化学研究所（理研）は，日立の原子分解能・ホログラフィー電子顕微鏡を用いた観察精度向上技術を開発し，材料（磁性多層膜）内部の磁場分布を0.67nmの世界最高分解能で観察することに成功した（ニュースリリース）。...

    2017.12.06

  • ディスコ，高スループットレーザーソーを開発

    ディスコは，Φ300mmウエハー対応のステルスダイシング（SD）レーザーソー「DFL7362」を開発，12月に発売を開始する（ニュースリリース）。 近年，アジア圏でのスマートフォンの普及や，ストレージやサーバーの高容量化...

    2017.12.06
  • SP，高出力・コンパクトな波長可変レーザーを発売

    SP，高出力・コンパクトな波長可変レーザーを発売

    スペクトラ・フィジックスは，コンパクト狭線幅波長可変リングチタンサファイアレーザー「Matisse」シリーズの新たなヴァージョン「Matisse C」を発表した（製品ページ）。 この製品は，高出力，最少狭線幅で最も広いモ...

    2017.12.06

新着ニュース

人気記事

編集部おすすめ

  • オプトキャリア

ページトップへ戻る
ページトップへ戻る