窒化物半導体

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  • 東大ら,新窒化物半導体ヘテロ接合の電子散乱を解明

    東京大学,住友電気工業は,新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子ガスの散乱機構を解明した(ニュースリリース)。 窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)は,バンドギャップが大きく,強い分極,強誘電性を有しており,...

    2025.07.09

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