パワートランジスタ

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東大ら，IGBTのスイッチング損失を62%低減

東京大学，三菱電機，東芝デバイス&ストレージ，東京工業大学，明治大学，九州大学，九州工業大学は共同で，基板の裏面にもMOSゲート部を有する両面ゲートIGBTを両面リソグラフィプロセスを用いて試作することに成功し...
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2020.12.08
東工大ら，微細化でシリコンIGBTを高効率化

東京工業大学と東京大学，九州工業大学，明治大学，産業技術総合研究所，東芝，三菱電機らは，シリコンによる電力制御用の絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（IGBT）をスケーリング（微細化）することで，コレクタ-エミッタ間飽和...
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2016.12.07

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