ニコンは，ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」を2024年1月に発売する（ニュースリリース）。
より大容量のデータをいっそう高速に処理・通信するための高性能な半導体が必要不可欠となっている。
半導体の高性能化には回路パターンの微細化と半導体デバイス構造の三次元化という両輪による技術革新が進んでおり，そのいずれの製造プロセスにおいてもArF液浸スキャナーが必要となっている。
特に三次元半導体は，従来の半導体よりも製造時のウエハーの反りや歪みが生じやすく，これまで以上に高い補正精度が求められる。
今回開発したArF液浸スキャナーは，露光前にウエハーの多点計測を行うインラインアライメントステーション（iAS）を改良。高いスループットを維持しつつ，ウエハーの反りや歪みをより高精度に計測・補正することで，高い重ね合わせ精度を実現するという。
これによりプロセスロバスト性が向上し，半導体の高性能化の手法として今後さらなる技術開発が進む三次元半導体など，高い重ね合わせ精度が要求される半導体の製造プロセスにおいて生産性を損なうことなく優れたパフォーマンスを発揮できるとする。
また，スループットの向上，ダウンタイムの低減などにより，現行機種比で総合的な生産性を10-15％改善。同社の半導体露光装置の中で最高水準の生産性を実現したとしている。
主な仕様は以下の通り。
| 解像度 | ≦38 nm |
|---|---|
| NA（開口数） | 1.35 |
| 光源 | ArFエキシマレーザー（波長：193 nm） |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光領域 | 26 mm x 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | MMO：≦2.1 nm |
| スループット | ≧280 wafers/hour (96 shots) |
