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  • 産総研,高品質な窒化物半導体薄膜結晶作製法

    産業技術総合研究所(産総研)は,窒化物半導体,特に窒化インジウム(InN)やIn含有率の大きい窒化インジウムガリウム(InGaN)に対する薄膜結晶の新しい気相成長技術を開発した(ニュースリリース)。 InNや高In含有率...

    2022.04.28

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