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窒化ガリウム

窒化ガリウムの記事一覧

全8件中 1〜8件目を表示

  • 東北大ら，高品質な窒化ガリウム結晶を作製

    東北大学，日本製鋼所，三菱ケミカルは，低圧酸性アモノサーマル法において，高品質なシード（種結晶）を用いることにより結晶性がよく，高純度な窒化ガリウム結晶の成長を確認した（ニュースリリース）。 電力制御を担う高周波パワート...

    2022.05.26

  • NIMSら，新たな高品質窒化GaN結晶育成法を開発

    物質・材料研究機構（NIMS）と東京工業大学は，次世代パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム（GaN）の結晶成長において，欠陥を大幅に減らして高品質な結晶を得ることのできる新たな技術を開発した（ニュースリリース）。 ...

    2020.11.16

  • 東北大ら，極低温でGaNの発光効率計測に成功

    東北大学と浜松ホトニクスは，全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いて，極低温下における窒化ガリウム結晶の絶対発光効率計測に成功した（ニュースリリース）。 窒化ガリウム（GaN）に基づく高耐圧トランジスタや高出力LE...

    2020.09.28

  • 東北大ら，高品位GaN単結晶基板の量産法開発

    東北大学，日本製鋼所，三菱ケミカルの研究グループは，反りがほとんど無い，大口径且つ高純度な窒化ガリウム（GaN）単結晶基板の量産を行なえる低圧酸性アモノサーマル法の開発に成功した（ニュースリリース）。 電力の変換効率を向...

    2020.06.02

  • 東北大ら，GaNから微量な炭素不純物を検出

    東北大学とサイオクスの研究グループは，全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いて，窒化ガリウム結晶における微量な炭素不純物の検出に成功した（ニュースリリース）。 半導体デバイスは，用途に応じて様々な材料を用いて製造さ...

    2019.12.09

  • NEDOら，単結晶ダイヤ基板のGaN-HEMTを開発

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），三菱電機，産業技術総合研究所は，高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）を世界で初めて...

    2019.09.03

  • 産総研ら，GaNマイクロLEDの発光効率を5倍に

    産業技術総合研究所（産総研）と東北大学は，微小なGaN（窒化ガリウム）LED（マイクロLED）の高効率化技術を開発した（ニュースリリース）。 マイクロLEDを高密度に配置したマイクロLEDディスプレーは，次世代のウエアラ...

    2019.07.04

  • 産総研ら，最高性能のGaN圧電薄膜をスパッタで作製

    産業技術総合研究所（産総研）は，村田製作所と共同で，低コストで成膜温度の低いRFスパッタ法を用いた，単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム（GaN）薄膜を作製できる方法を見いだした（ニュースリリース）。 さらに，スカン...

    2017.09.01

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