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遷移金属ダイカルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイドの記事一覧

全8件中 1〜8件目を表示

  • 東北大，2次元半導体中での添加元素の影響を予測 

    東北大学の研究グループは，二硫化モリブデンに27種類の元素を導入した際の安定な原子構造や電気特性を，密度汎関数理論に基づく精緻な計算機シミュレーションにより明らかにした（ニュースリリース）。 単層が原子3個分の厚さから成...

    2024.12.06

  • 理研ら，層状物質と微小光共振器で高効率に波長変換

    理化学研究所，産業技術総合研究所，物質・材料研究機構らは，原子層ナノ物質を高Q値微小光共振器上に転写することで，従来制限されてきた2次の非線形波長変換が微弱な連続光レーザーでも高効率に発生できることを実証した（ニュースリ...

    2024.04.03

  • 都立大ら，TMDシートでナノサイズ巻物状構造作製

    東京都立大学，産業技術総合研究所，筑波大学，東北大学，名古屋大学，金沢大学，北陸先端科学技術大学院大学は，次世代の半導体材料として注目されている遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の単層シートを利用し，最小内径5nm程度...

    2024.01.16

  • 都立大ら，トンネル効果を示す層状半導体で接合構造

    東京都立大学，産業技術総合研究所，筑波大学，埼玉大学，東京大学は，次世代の半導体材料として注目されている遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）の多層結晶において，異なる二種類のTMDCが同一の面内で接合した構造の作製に成...

    2023.04.25

  • 都立大ら，無機ナノファイバーに金属原子を挿入

    東京都立大学，産業技術総合研究所，東北大学，名古屋大学，筑波大学，大阪大学は，直径数〜数十ナノメートル程度の遷移金属モノカルコゲナイド（TMC）のナノファイバーの内部に金属原子を効率的に挿入する技術を開発した（ニュースリ...

    2023.03.06

  • 北大ら，hBNの⼤⾯積化とグラフェン集積に成功

    九州⼤学，⼤阪⼤学，産業技術総合研究所は，均⼀な多層の六⽅晶窒化ホウ素（hBN）を合成し，それを⽤いて⼤規模なグラフェンデバイスの特性向上につなげることに成功した（ニュースリリース）。 グラフェンや遷移⾦属ダイカルコゲナ...

    2023.02.07

  • 阪大ら，室温で異方性ホール効果を示す物質を発見

    大阪大学，シンガポール南洋理工大学，中国北京大学は，全く新しいバナジウム系2次元（2D）/1次元（1D）ハイブリッド格子構造を合成することに成功し，この新物質が380ケルビンの高温でも予想外の面内異方性ホール効果を示すこ...

    2022.09.01

  • 首都大ら，原子厚の半導体材料を自在に接合

    首都大学東京，筑波大学の研究グループは，次世代の半導体材料として期待されている遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の新たな合成技術を開発することで，一原子レベルで組成が急峻に変化する半導体原子層の接合構造（半導体ヘテロ接...

    2019.06.24

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