純スピン流

東工大，トポロジカル絶縁体で最高性能の純スピン注入源を開発

東京工業大学は，次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実現に向けた，トポロジカル絶縁体であるBiSbの（012）面方位を用いた世界最高性能の純スピン注入源を開発した（ニュースリリース）。 スピン軌道トルク磁気抵抗メモリは...

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