プロセスインフォマティクス

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名大，AI応用溶液成長法で6インチSiC基板作製

名古屋大学の研究グループは，直径6インチのSiC単結晶基板を，高品質な結晶成長が可能である「溶液成長法」を用いて作製することに，世界で初めて成功した（ニュースリリース）。現在のパワー半導体の主流はSiで作製されているが...
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2021.10.27
名大，GaNチップの欠陥密度を1/30に低減

名古屋大学の研究グループは，GaNパワーデバイスの大電力化に際して障害となっていたキラー欠陥密度を従来の30分の1に低減し，大電力（100A）チップの歩留まりを大幅に向上した（ニュースリリース（4P目））。 GaNパワー...
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2019.06.05

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