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  • NIMSら,無毒な直接遷移型の近赤向け半導体を発見

    物質・材料研究機構 (NIMS)と東京工業大学は,安価で毒性の無いカルシウム,シリコン,酸素から構成される「Ca3SiO」が,赤外線用のLEDや検出器として応用が可能な直接遷移型の半導体であることを発見した(ニュースリリ...

    2020.12.15

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