3. INFIQ®QDの光学・物理特性
量子ドット半導体のバンドギャップ（禁制帯）は，粒子径によってコントロールでき，長波長ほど，ナノ粒子が大きいことを表わしている。量子ドットの仕様は，通常，励起子吸収ピーク波長で示される。これは，吸収開始時よりもわずかに高いエネルギーで吸収が強くなる吸収ピークとして観察できる。このピークの幅は半値全幅（FWHM）で定義され，これが狭ければ狭いほど，ナノ粒子集合体が単分散であること，すなわち，ナノ粒子の粒子径が全てほぼ均一であることを表わしている。これは，平坦なエネルギー地形，狭いエネルギー分布，超格子の形成によって性能が向上するような用途では，極めて望ましい性質である。こうした点で，INFIQ® QDは，世界トップクラスの性能と，クラス最高の光学特性を備えている（図1）。
透過電子顕微鏡（TEM）を用いると，材料の形状や粒子径が均一であることが観察できる。TEM画像から，INFIQ® HP 1350 nm，1550 nmの量子ドットの直径が，それぞれ約4.9 nm，6.0 nmであることも分かる。また，個々の量子ドット内にはっきりと見られる結晶格子構造から，このナノ材料の結晶性の高さも観察できる（図2）。
これら量子ドットの粒子径を調整することにより吸収ピーク波長の調整をすることができる。表1にINFIQ®量子ドット製品を記載する。
