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ディスコ,SiCウェハーの新加工手法“KABRA”プロセスを開発 ─SiCデバイスの低コスト化に道!

ディスコ,SiCウェハーの新加工手法“KABRA”プロセスを開発 ─SiCデバイスの低コスト化に道!

電力変換や制御を行なうパワー半導体デバイス用材料の一つとして,SiCに注目が集まっている。SiCは絶縁破壊電界強度やバンドギャップがSiに比べて数倍高く,電力損失が少ないという優れた特性を持っているため,機器の省エネ化, […]