n型トランジスタ

産総研ら，二硫化モリブデンの接触界面抵抗を低減

産業技術総合研究所（産総研）と東京都立大学は，三テルル化二アンチモン（Sb2Te3）/二硫化モリブデン（MoS2）のファンデルワールス界面の作製に成功し，n型MoS2トランジスタ性能向上に大きく貢献する接触界面抵抗の低減...

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