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名大ら，AlN系UWBG半導体で理想的なpn接合実現

名古屋大学と旭化成は，次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム（ALN）系材料において，理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。現在広く使われている半導体材料であるシ...
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2023.12.15
筑波大，800℃超で安定動作する半導体素子を開発

筑波大学の研究グループは，窒化アルミニウム（AlN）半導体を用いることで，ダイオードを827°Cまで，トランジスタを727°Cまでの高温環境下で，安定に動作させることに成功した（ニュースリリース）。 Si半導体は，室温で...
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2023.06.30
岡本硝子，名大ベンチャーとAlN材料で連携

U-MAPと岡本硝子は，U-MAPが開発した独自素材「Thermalnite」（繊維状窒化アルミニウム単結晶）を添加した窒化アルミニウム複合材料について，岡本硝子の持つセラミクス・シートの生産技術を用いた量産体制の構築に...
2021.05.17

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