トリハライド

大陽日酸ら，GaN結晶の低コスト製造装置を開発

科学技術振興機構（JST）は，産学共同実用化開発事業（NexTEP）の開発課題「THVPE法による高品質バルクGaN成長用装置」の開発結果を成功と認定した（ニュースリリース）。 この開発課題は，東京農工大学の研究グループ...

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