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  • 2016年度の国内3Dプリンタ市場は 20,000台，240億円規模に

    2016年度の国内3Dプリンタ市場は 20,000台，240億円規模に

    矢野経済研究所では，国内3D プリンタ市場の調査を実施した。それによると，2012年度の国内3Dプリンタ市場は，数量が1,692台（前年度比265.2%），金額が65億円（同157.6%，いずれも事業者売上高ベース）とな...

    2013.12.12
  • 東工大，ナノファイバを応用した安価・簡易なフレキシブル透明電極の製造方法を提案

    東工大，ナノファイバを応用した安価・簡易なフレキシブル透明電極の製造方法を提案

    東京工業大学 大学院理工学研究科 特任准教授の坂尻浩一氏，同准教授の戸木田雅利氏，松本英俊氏らのグループは，ナノファイバをエッチングのマスクとして利用することで，簡易かつ安価にフレキシブルな透明電極を作製する方法を考案し...

    2013.12.12
  • エドモンド・オプティクス・ジャパン，ウルトラファスト薄膜偏光板と高エネルギー用キューブ型偏光ビームスプリッタの取り扱いを開始

    エドモンド・オプティクス・ジャパン，ウルトラファスト薄膜偏光板と高エネルギー用キューブ型偏光ビームスプリッタの取り扱いを開始

    エドモンド・オプティクス・ジャパンはウルトラファスト薄膜偏光板と高エネルギー用キューブ型偏光ビームスプリッタの取り扱いを開始した。 ウルトラファスト薄膜偏光板は高レーザ耐力のため，チタンサファイアレーザ光源を始めとするハ...

    2013.12.12
  • オプトサイエンス，イギリスBOFA社製レーザ加工用集塵装置を販売開始

    オプトサイエンス，イギリスBOFA社製レーザ加工用集塵装置を販売開始

    オプトサイエンスは，イギリスBOFA社製のレーザ加工用集塵装置の販売を開始した。 1984年の創立以来，排煙・ 集塵・濾過 装置の専門メーカとして，レーザ・ エレクトロニクス・印刷・製薬・デンタル・美容といった多くの分野...

    2013.12.12
  • オプトサイエンス，米国Bayspec社製近赤外用分光器「SuperGamutシリーズ」の販売を開始

    オプトサイエンス，米国Bayspec社製近赤外用分光器「SuperGamutシリーズ」の販売を開始

    オプトサイエンスは，米国Bayspec社製の近赤外用分光器「SuperGamutシリーズ」の販売を開始した。 この分光器では高いスループットと高速オプティクスにより，通常のCzerny-Turner反射式グレーティングと...

    2013.12.12
  • 時代は4Kに突入！ソニーとパナソニックが大画面有機ELテレビを開発

    時代は4Kに突入！ソニーとパナソニックが大画面有機ELテレビを開発

    来年にも4K放送が開始されることから，参入メーカ各社による4K対応テレビの製品化が活発化している。また，4K対応の有機ELテレビの開発も進められており，国内メーカの事業化に対する関心も高まっている。 有機ELテレビではソ...

    2013.12.11
  • 理研，光合成による水分解メカニズムの解明に大きく前進

    理研，光合成による水分解メカニズムの解明に大きく前進

    理研イノベーション推進センター 中村特別研究室 特別招聘研究員の中村振一郎氏らの研究チームは分子動力学シミュレーションを使い，光合成膜タンパク質への水の供給経路と酸素，水素イオンの排出経路を明らかにした。これは，光合成に...

    2013.12.11
  • NEDO、再生可能エネルギー技術白書を大幅改訂

    NEDO、再生可能エネルギー技術白書を大幅改訂

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は、再生可能エネルギーの各技術分野の国内外の動向や課題、対応策等を取りまとめた「NEDO再生可能エネルギー技術白書」の改訂版を12月12日に公開する。 同白書は2010年に第...

    2013.12.11
  • 産総研、 InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発

    産総研、 InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発

    産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター特定集中研究専門員の入沢寿史氏らは、東京工業大学電子物理工学専攻 教授の宮本恭幸氏、住友化学と共同で、新構造の採用により性能を...

    2013.12.11
  • 産総研、信頼性を大幅に向上させた低抵抗ソース・ドレイン形成技術を開発

    産総研、信頼性を大幅に向上させた低抵抗ソース・ドレイン形成技術を開発

    産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門シリコンナノデバイスグループ主任研究員の水林 亘氏らは、日新イオン機器と共同で、14 nm世代以降のフィンFETに適用できる、低抵抗ソース・ドレイン形成技術を開発した。 14...

    2013.12.11

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