スタンレー電気は米国子会社のHexaTechが、直径100mmの単結晶窒化アルミニウム（AlN）基板を製品化したと発表した（ニュースリリース）。基板の大口径化によって半導体デバイスの製造コスト低減と量産性向上を図り、深紫外LEDや深紫外レーザーなどのオプトエレクトロニクス分野への展開を目指す。
HexaTechは、20年以上にわたり単結晶AlN基板の研究開発と量産技術の高度化に取り組んできた。2026年2月には直径3インチ（76.2mm）の基板を製品化しており、今回、直径100mmへの大口径化を実現した。今後は150mm以上の基板開発を目指す。
単結晶AlNは、広いバンドギャップを持つワイドバンドギャップ半導体材料の一つで、深紫外領域の発光デバイスや高電圧・高周波デバイスへの応用が期待されている。具体的には、紫外線除菌用の深紫外LED、生物学的脅威の検知などに用いる深紫外レーザー、高効率な電力変換に向けた高電圧スイッチングデバイス、衛星通信向け高周波部品などが想定される。
半導体基板の大口径化は、1枚の基板から製造できるデバイス数の増加につながり、生産効率の向上や製造コストの低減に寄与する。今回の100mm基板の製品化により、深紫外光源をはじめとする次世代半導体デバイスの量産拡大が期待されている。
