SLE法

東北大ら，結晶構造が異なるSiC同士の積層に成功

東北大学と技術コンサルタントのCUSICは，3C-SiCと4H-SiCを積層させたハイブリッド構造基板を同時横方向エピタキシャル成長法を用いて製作することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 SiCの単結晶基板を...

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