科学・技術

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金沢大ら,ダイヤモンド-on-SiでMOSFETを作製

金沢大学,産業技術総合研究所,独フランホーファー研究機構は共同で,単結晶シリコン上にヘテロエピタキシャル成長によるダイヤモンド膜から作製したダイヤモンド自立基板を用いて反転層チャネルMOSFETを作製し,その動作実証に世 […]