Si-IGBT

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  • 東工大,半導体の少数キャリア寿命を正確に測定

    東京工業大学は,ストライプ状に形成したpn接合ダイオードの電流-電圧特性を測定することにより,パワーデバイス用シリコンウエハーの少数キャリア寿命を抽出する新しい評価方法を確立した(ニュースリリース)。 省エネルギー化を進...

    2018.06.25

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