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FETの記事一覧

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  • NAISTら,高移動度/低抵抗酸化物半導体ナノシート開発

    奈良先端科学技術大学院大学(NAIST),東京科学大学,出光興産は,原子層堆積(ALD)法を用いることで高性能かつ高機能な多結晶酸化物半導体 Ga 添加 In2O3(poly-IGO)ナノシートとそれをチャネル層に用いた...

    2025.06.10
  • 東大ら,テラヘルツで微結晶の移動度を予測

    東京大学,産業技術総合研究所,物質・材料研究機構の研究グループは,高移動度有機半導体のプロトタイプのルブレンの微結晶試料にポンプ―プローブ分光法を適用し,単結晶試料で得られる値とほぼ等しい,物質に固有の移動度を評価した(...

    2019.10.01
  • 産総研,最高性能の半導体系TMR素子を開発

    産業技術総合研究所(産総研)は,独自に開発した単結晶酸化ガリウム(Ga2O3)の成膜プロセスを用いて,半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した(ニュースリリース)。...

    2016.09.20

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