三菱電機,EV向けパワー半導体モジュール新シリーズを開発

三菱電機は,電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)用モータのインバータ駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュールの新シリーズとして,IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を6素子搭載した「J1シリーズ」2品種のサンプル提供を9月30日に開始する。

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6in1化により,従来の2in1製品を3台使用した場合に比べて実装床面積(117.0×113.0mm)で約80%に縮小,インバータの小型化に貢献したほか,キャリア蓄積効果を利用した同社独自のIGBTであるCSTBT構造を採用した第6世代IGBTの搭載により,コレクタ・エミッタ間飽和電圧を同社従来製品より約15%低減し,低消費電力化に貢献する。

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