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研究開発

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  • 東大，大津波が海底生態系に及ぼした影響を潜水調査で解明

    東大，大津波が海底生態系に及ぼした影響を潜水調査で解明

    東京大学大気海洋研究所は，岩手県の大槌湾と船越湾における潮下帯の砂泥底において，大津波の6ヶ月前（2010年9月），6ヶ月後（2011年9月），18ヶ月後（2012年9月）に潜水調査を行ない，大津波の前後での海底環境（水...

    2013.06.11
  • 産総研，大幅な消費電力の低下が期待できる新たな構造のトンネルFETを開発

    産総研，大幅な消費電力の低下が期待できる新たな構造のトンネルFETを開発

    産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 シリコンナノデバイスグループ主任研究員の森田行則氏らは，新たな構造を採用した合成電界トンネルFETの動作を実証した。 トンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）は，電子...

    2013.06.11
  • 富士通，IPv4サービスの継続利用を支援する技術を開発

    富士通，IPv4サービスの継続利用を支援する技術を開発

    富士通は，IPv4アドレスの枯渇に対し，IPv4サービスの継続とIPv6導入を両立する技術「SA46Tマルチプレーンエクスパンション」を開発した。これは，IPv6ネットワーク上でIPv4サービスの通信を可能にするバックボ...

    2013.06.11
  • 筑波大ら，トランジスタの雑音を簡便に計測する装置を開発

    筑波大ら，トランジスタの雑音を簡便に計測する装置を開発

    筑波大学数理物質系准教授の大毛利健治氏らのグループは，ディー・クルー・テクノロジー，東京工業大学と共に，トランジスタ（MOSFET）の雑音をより広い周波数帯域にわたって簡便に計測する方法を開発した。これによりMOSFET...

    2013.06.10
  • NEDOら，0.37Vで動作する超低電圧デバイスなどを開発

    NEDOら，0.37Vで動作する超低電圧デバイスなどを開発

    NEDOと有力電子デバイスメーカからなる超低電圧デバイス技術研究組合は，新しいトランジスタ構造を用いた集積回路（ロジック）を開発，IT機器の消費電力1/10に道を開く，0.37V（従来の1/3）の超低電圧での動作を実証し...

    2013.06.10
  • 産総研，多結晶Geによる3次元積層集積回路のための積層CMOSの開発に成功

    産総研，多結晶Geによる3次元積層集積回路のための積層CMOSの開発に成功

    産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター特定集中研究専門員の鎌田善己氏らは，大規模集積回路の3次元積層技術に向けた多結晶ゲルマニウム（Ge）トランジスタが5桁を超え...

    2013.06.10
  • パナソニック，CMOSを用いたニューラルネットワーク回路を開発

    パナソニック，CMOSを用いたニューラルネットワーク回路を開発

    パナソニックは，連続的に変化するアナログデータを安定的に抵抗値として記憶する強誘電体メモリスタを，広くデジタル回路として用いられているCMOS回路上に世界で初めて形成することに成功した。この結果，同じ回路上でデジタル信号...

    2013.06.10
  • 国際研究チーム，アルマ望遠鏡で彗星のゆりかごを発見

    国際研究チーム，アルマ望遠鏡で彗星のゆりかごを発見

    オランダ・ライデン大学の研究者を中心とする国際研究チームは，アルマ望遠鏡を使った観測で，若い星の周囲で星間微粒子が寄せ集められて大きく成長していく場所を発見した。このような星間微粒子が集まった領域がこれほど明瞭に観測され...

    2013.06.07
  • 分子研，おわんの形をした分子の内側と外側が生み出す違いを解明

    分子研，おわんの形をした分子の内側と外側が生み出す違いを解明

    自然科学研究機構分子科学研究所助教の東林修平氏，准教授の櫻井英博氏らの研究グループは，炭化水素化合物で，おわん型の分子構造を持つ「バッキーボウル」に“手”（置換基）をつけた分子を作り出し，従来外側にしか向かないと考えられ...

    2013.06.07
  • 科学技術政策研究所，「科学技術動向」2013年5・6月号を公表

    科学技術政策研究所，「科学技術動向」2013年5・6月号を公表

    科学技術政策研究所は，「科学技術動向」2013年5・6月号を公表した。 レポート1は「官民が競う津波救命艇の開発」。レポート2は「2014年度NASA予算要求の概要 ―有人小惑星探査戦略を発表―」。レポート3は「コンピュ...

    2013.06.06

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