磁気トンネル接合

磁気トンネル接合の記事一覧

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  • 東北大,5nm以下のMTJ素子で3.5nsの高速書込

    東北大学の研究グループは,高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合(MTJ)(STT-MRAM の情報記憶素子)の構造を提案し,5nm以下の直径を有するMTJ素子で3.5ナノ秒までの高速書き込み動作...

    2021.12.14
  • 東工大ら,スピン軌道トルク磁気抵抗メモリを作製

    東京工業大学と米カリフォルニア大学ロサンゼルス校は,トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合(MTJ)を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ(SOT-MRAM)素子の作製と,比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよ...

    2021.11.01
  • 東北大,最小・高性能磁気トンネル接合素子を開発

    東北大学は,STT-MRAMの主要構成要素である磁気トンネル接合(MTJ)に新しい構造を採用することで,車載応用に必要とされる高温でのデータ保持特性を維持しながら,DRAMなどのワーキングメモリーの置き換えに必要とされる...

    2020.12.08

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