シリコン

シリコンの記事一覧

全32件中 21〜30件目を表示
  • NEDOら,単結晶ダイヤ基板のGaN-HEMTを開発

    新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO),三菱電機,産業技術総合研究所は,高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN-HEMT)を世界で初めて...

    2019.09.03
  • 筑波大ら,コヒーレントフォノン生成の一端を解明

    筑波大学と米ピッツバーグ大学は,半導体シリコンに高強度超短パルスレーザーを照射した直後に誘起されるプラズモンと縦光学フォノンの非断熱相互作用が,格子ダイナミックスを支配する要因の1つであることを,理論と実験の両面から立証...

    2019.05.21
  • 東大,液体シリカの特異な散乱ピークを解明

    東京大学は,FSDP(First Sharp Diffraction Peak)が,液体中に生成される局所的正四面体構造の内包する電子密度の周期に起因することを発見した(ニュースリリース)。 シリカやシリコンといったネッ...

    2019.03.05
  • 産総研ら,シリコン量子ビットの高温動作に成功

    理化学研究所(理研),産業技術総合研究所(産総研)らは,シリコン量子ビットを従来よりも100倍以上高い10K(約-263℃)の高温で動作させることに成功した(ニュースリリース)。 シリコン中の電子スピンを用いたシリコン量...

    2019.01.28
  • 阪大ら,シリコン断崖側面構造を原子レベルで観察

    大阪大学と奈良先端科学技術大学院大学は共同で,原子分解能をもつ走査トンネル顕微鏡を用いて,デバイス加工後のシリコン切削側面表面を原子レベルで平坦かつ清浄にし得ることを世界で初めて明らかにした(ニュースリリース)。 これま...

    2017.09.21
  • NEDOら,世界で初めてガラスやシリコーンの基本構造を解明

    新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO),産業技術総合研究所(産総研),日本原子力研究開発機構(原研),J-PARCセンター,総合科学研究機構の5者は,世界で初めて,ガラスやシリコーンの基本単位構造であるオルトケイ...

    2017.07.27
  • 阪大,反射防止膜無しの太陽電池で変換効率20%達成

    大阪大学の研究グループは,10秒~30秒の簡単な溶液処理によって,3%以下の反射率のシリコンウエハーを形成する方法を開発した(ニュースリリース)。この技術を結晶シリコン太陽電池に用いて,反射防止膜を形成しない極単純な構造...

    2017.07.24
  • 慶大,レーザーで廃シリコン粉末から電極材料を作製

    慶應義塾大学の研究グループは,半導体デバイスや太陽電池の生産過程で大量に発生する廃シリコン粉末を主原料にバインダーや導電助剤などを添加し,銅箔表面へ塗布した後,特定条件下でのレーザー照射技術を用いて大きさ数ミクロンの単結...

    2017.07.21
  • KEKら,精度1μm以下の放射線測定センサーを開発

    高エネルギー加速器研究機構(KEK),筑波大学,大阪大学,東北大学のSOIピクセル共同開発研究チームは,世界で初めて1μm以下という超高精度の位置測定が可能なSOI(Silicon-On-Insulator)ピクセルセン...

    2017.06.27
  • JAIST,シリセンが凸凹な表面上で成長することを発見

    北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)は,原子レベルで平坦な表面上にしか成長しないと考えられていた二次元材料「シリセン」を凸凹な表面上にも成長させることに成功した(ニュースリリース)。 シリセンは原子一層分の厚みしかな...

    2017.02.02

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