■東芝，GaN-on-Si技術採用CSP白色LEDを披露
東芝セミコンダクター&ストレージ社は今回，GaN-on-Si技術を用いたチップを採用した「CSP（Chip Scale Package）白色LEDパッケージ」（写真5）を披露した。GaN-on-Si技術は比較的価格の高いサファイア基板の代わりに安価なシリコン基板を使用し，シリコンウエハー上にGaNを結晶成長させる技術だ。
シリコン基板はサファイア基板に比べ価格が安いこと，また，8インチ（200 mm）の大口径ウエハーで製造することにより，生産効率を上げ，コスト低減へ繋げる狙いだ。しかし，これから歩留まり向上などの課題も残るものと推測される。
今回，注目されたものは現在開発中である極小パッケージの「LETERAS」CSP（Chip Scale Package）白色LEDパッケージ「TL1 WKシリーズ」（0.65 mm×0.65 mm（0606パッケージ）だ。同製品の特徴は同等の発光効率の場合，既存のLEDパッケージ（3.0 mm×1.4 mm）に比べ表面積を90％積削減できる（写真6）。また，Cu電極，ボンディングワイヤ不要など，照明製品にした場合，超小型，超薄型，低熱抵抗，高放熱などが実現でき，細管型照明への応用や，高密度実装による高輝度光源，デザインの多様化へ貢献できるという。
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