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阪大,SiCの絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減

大阪大学の研究グループは,炭化珪素(SiC)パワーデバイスの心臓部となる絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減する事に成功した(ニュースリリース)。 パワーデバイスは,電力の変換と制御を司り,従来はシリコン半導体を用いて製造されて […]