日立ハイテクとドイツの ZEISS社は、高NA-EUVの量産を支える検査装置として、次世代マルチビーム電子線検査装置の共同開発を加速させると発表した。(ニュースリリース）
半導体製造工程では、高品質なデバイス製造のため、回路パターンを形成後、高い感度を持つ電子線技術と高速性に優位を持つ光学技術を用いた検査装置によるウェーハ上の欠陥検査を行っている。
日立ハイテクは電子線・光学両方の技術を有し、300mmウェーハ対応のインライン計測・検査装置と世界トップシェアの測長SEMを提供し、多くの半導体デバイスメーカーの製造現場を長年支えてきた。ZEISS SMTは、高分解能な91本ビームの高感度マルチビームカラム技術を開発した。
両社は、日立ハイテクの培った装置安定稼働、高精度ステージ、AIによる画像処理技術と、ZEISS SMTの技術によるシナジー効果によって、AI活用検査アルゴリズムを搭載した高感度・高速性を両立している新たなインラインマルチビーム電子線検査装置の開発の実現に取り組んできた。
日立ハイテクは、歩留まり改善につながる高い付加価値を有するデジタライズドアセットの提供に向け開発を加速することで、フィジカルAIを活用した「HMAX Industry」を提供する。
先端半導体デバイスメーカーでは微細加工技術の2nmノード、High-NA EUVの本格的な量産を開始している。回路パターン形成後のウェーハ検査において、従来の光学式検査装置は、検査速度に定評はあるものの、10nm前後の微小欠陥を安定的に検査することは難しく、半導体デバイスの高い製造歩留まりと安定した製品品質を確保するためには課題の一つになると予想されていた。シングルビーム電子線検査装置はホットスポットなどの限定的なエリアの検査手法としてインラインで活用されてきたが、デバイス構造の複雑化、ストキャスティック欠陥の増加に伴い、検査箇所および検査レイヤー数は増加し、量産ラインに求められる検査速度の確保が難しいとされてきた。
マルチビーム電子線検査装置は、従来の高速先端半導体プロセスにおいて要求される検査感度および検査速度を、数十倍以上で両立する唯一の製品である。さらに、光学検査装置では対応が難しい膜中欠陥検査や電圧コントラスト検査にも活用できるため、先端半導体デバイスメーカーからはスピード・制度の面で、高い検査性能が求められており、早期の装置開発が期待されている。
