米ラムリサーチは，同社のドライフォトレジスト（ドライレジスト）技術が2nmおよび2nm以下のロジック回路におけるバックエンド・オブ・ライン（BEOL）の，28nmピッチのダイレクトプリントに適格であると，半導体研究機関のベルギーimecに認定されたと発表した（ニュースリリース）。

半導体メーカーが先進的な技術ノードに移行する中で，トランジスタの形状やピッチサイズはますます微細化している。意欲的な次世代デバイスのロードマップでは，スケーリングを可能にするために，28nmピッチのBEOLのダイレクトプリントが必要とされている。

ピッチサイズが小さくなるとパターン解像度が低下することがあるが，同社のドライフォトレジスト技術は，EUV露光量（コスト）と欠陥率（歩留まり）の間に存在する相反関係を克服し，パターニングを最適化できるとする。

imecでは，同社の28nmピッチドライフォトレジストプロセスは低NA（開口数）EUVスキャナーと評価を進めているが，高NA EUVスキャナーへの適用も可能だという。この技術により，EUV感度と各ウエハーパス（製造工程）の解像度が向上し，コスト，性能，歩留まりが改善されるとする。

また，ドライレジストは，従来のウェット化学レジストプロセスと比較して，エネルギー消費を抑え，原材料の使用量を5～10分の1に削減することで，サステナビリティの観点でも高い優位性を示す。競争力のあるコストで極めて低い欠陥率を達成し，ウェットレジスト材料を上回る性能を発揮するとしている。