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京大ら,SiCパワー半導体の欠陥を1桁低減

京都大学と東京工業大学は,省エネの切り札と言われるSiC半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥を1桁低減し,約10倍の高性能化に成功した(ニュースリリース)。 近年,低損失化を⽬指してSiよりも性質の優れ […]