謝辞
本研究の一部は，科学研究費補助金＃26420271と公益財団法人豊秋奨学会の援助を受けて行った。
参考文献
1）A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara, Appl. Phys. Express 2, 071004 (2009).
2）H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, R. Matsumura, H. Okada, A. Wakahara, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JH01 (2013).
3）A. Wakahara, Opt. Mater. 28, 731 (2006).
4）M. Pan and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 83, 9 (2003).
5）R. Wang and A. J. Steckl, J. Cryst. Growth 312, 680 (2010).
6）K. Takahei, and A. Taguchi, J. Appl. Phys. 74, 1979 (1993).
7）Y. Takagi, T. Suwa, H. Sekiguchi, H. Okada, and A. Wakahara, Appl. Phys. Lett. 99, 171905 (2011).
8）H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, H. Okada, A. Wakahara, J. Appl. Phys. 113, 013105 (2013).
9）H. Bang, S. Morishima, J. Swahata, J. Seo, M. Takiguchi, M. Tsunemi, K. Akimoto, M. Nomura, Appl. Phys. Lett. 85, 227 (2004).
10）M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kishino, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L459 (1997).
11）M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23(1998).
2）H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, R. Matsumura, H. Okada, A. Wakahara, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JH01 (2013).
3）A. Wakahara, Opt. Mater. 28, 731 (2006).
4）M. Pan and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 83, 9 (2003).
5）R. Wang and A. J. Steckl, J. Cryst. Growth 312, 680 (2010).
6）K. Takahei, and A. Taguchi, J. Appl. Phys. 74, 1979 (1993).
7）Y. Takagi, T. Suwa, H. Sekiguchi, H. Okada, and A. Wakahara, Appl. Phys. Lett. 99, 171905 (2011).
8）H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, H. Okada, A. Wakahara, J. Appl. Phys. 113, 013105 (2013).
9）H. Bang, S. Morishima, J. Swahata, J. Seo, M. Takiguchi, M. Tsunemi, K. Akimoto, M. Nomura, Appl. Phys. Lett. 85, 227 (2004).
10）M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kishino, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L459 (1997).
11）M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23(1998).
12）S. Nishikawa, H. Sekiguchi, T. Imanishi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Tu-B-2-259, (2015).
■Development of Red Light-Emitting Devices with Eu doped GaN Active Layer
■Hiroto Sekiguchi
■Toyohashi University of Technology
セキグチ ヒロト
所属：豊橋技術科学大学
（月刊OPTRONICS 2016年3月号）
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