産総研,グラファイト層間化合物を簡便・高速合成

産業技術総合研究所(産総研)は,金属ナトリウム(Na)がグラファイト層間化合物(Graphite Intercalation Compound:GIC)の生成に有効な触媒として働くことを発見し,これをもとに,高速かつ簡便にGICの大量合成を可能にする新しい手法(Na触媒法)を開発した(ニュースリリース)。

炭素(C)には,グラファイト,ダイヤモンド,フラーレン,グラフェン,カーボンナノチューブといった同素体が存在する。これらは全く異なる機能性を有しており,幅広い分野での研究や応用がなされている。

例えば,グラフェンは2004年に発見されたCの新しい同素体であり,非常に高い電気・熱伝導度などの特異な性質を持っている。グラファイトはグラフェンが弱く積層した物質で,鉛筆の芯などにも用いられるありふれた材料。

グラファイトはこのグラフェン層の間にさまざまな原子や分子を挿入(インターカレート)することができる。インターカレートで生じた物質をグラファイト層間化合物(GIC)という。層間に入る原子の種類により多種のGICが存在し,それぞれが高導電性やガス吸蔵性、超伝導性など,多様な機能を有している。

グラファイトへのインターカレーション現象は,リチウムイオン二次電池の電極でも利用されている。最近では,GICを原料にしたグラフェン合成技術も開発され,今後もさまざまな応用が期待されている。

しかし,気相法や溶融塩法などの従来のGIC合成手法は,合成プロセスが複雑で,合成に数日〜数週間を要し,ステージ構造の制御が容易ではなく,高価な高配向性グラファイト原料が必要など,高品質試料の大量合成には不向きだった。そのため,GICの実用化に向けて,革新的なGIC合成法の開発が望まれていた。

今回研究グループは,NaがGICの生成に有効な触媒として働くことを発見した。これをもとに,高速かつ簡便にGICの大量合成を可能にする新しい手法(Na触媒法)を開発した。

Na触媒法では,従来法に比べ格段に低温・短時間で高品質なAM-GICおよびAE-GICの合成が可能だという。また,この方法では,安価な粉末グラファイトを原料として使用可能であり,かつ設備やプロセスも従来法に比べ各段に簡便だとする。

研究グループは今後,GICの大量合成と応用展開の検討,AEやAM以外の元素や分子のグラファイトへのインターカレーションに対する有効性の検証,Naの触媒作用によるGIC生成の微視的メカニズムの解明などの研究を行なうとしている。

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