ソニーセミコンダクタソリューションズの梅林拓氏は，令和2年春の褒章において紫綬褒章が授与されることになった（ニュースリリース）。
紫綬褒章は科学技術分野における発明・発見や，学術及びスポーツ・芸術文化分野における優れた業績を挙げた方に対して授与されるもので，今回の受章は積層型多機能CMOSイメージセンサー構造の開発に関する業績が評価されたもの。
なお，この開発では平成28年度の全国発明表彰（主催：公益社団法人発明協会）において「内閣総理大臣賞」を受賞しており，その後の発明協会推薦により，平成30年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞（開発部門）も授与されている。
今回の受章は，積層型多機能CMOSイメージセンサーを搭載したスマートフォンなど多くの製品により，国民の利便性を向上させ，日本の半導体産業を活性化させた業績が高く評価されたもの。
この開発では，従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップを用い，その上に裏面照射型画素が形成された画素部分を重ね合わせた積層構造のCMOSイメージセンサーの量産化に成功した。
この積層構造により，小さなチップサイズで大規模な回路の搭載が可能となることに加え，独立形成が可能となった画素部分と回路部分は，それぞれに特化した製造プロセスを採用できるため，小型化・高画質化・高機能化を同時に実現できる。さらに，回路が形成されたチップに先端プロセスを採用することで，信号処理の高速化・低消費電力化を図ることができる。
昨今では，さらなる性能の向上により，イメージセンサーをはじめとするさまざまなセンシングデバイス（半導体素子）の高機能および多機能化を促進する基本技術として応用されているとしている。
