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東工大ら,微細化でシリコンIGBTを高効率化

東京工業大学と東京大学,九州工業大学,明治大学,産業技術総合研究所,東芝,三菱電機らは,シリコンによる電力制御用の絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ(IGBT)をスケーリング(微細化)することで,コレクタ-エミッタ間飽和 […]