京大ら,ナノスリットによる光閉じ込めで1分子観察 京都大学らは,分子科学研究所,青山学院と共同で,ナノ構造(ナノスリット)を用いてモータータンパク質であるキネシンとその運動に必要なアデノシン三リン酸(ATP)分子を同時に1分子観察する手法を開発した(ニュースリリース)。 […] 2018年12月05日 ニュース ,光関連技術 ,医療・バイオ ,科学・技術
天田財団,平成30年度前期助成先を決定-助成金目録贈呈式典を開催 平成30年度天田財団助成式典が2018年12月1日,FORUM246(神奈川県伊勢原市)において開催された。今回の助成件数は100件で,そのうち,レーザプロセッシング分野の研究開発助成件数は41件となった。助成額は1億3 […] 2018年12月05日 PICK UP ,その他 ,ニュース ,光関連技術
東大ら,強誘電体のトポロジカルなスピン励起を解明 東京大学らは,電荷と格子が強く結合した強誘電体において、その秩序が壊れるときに生まれる磁気的な励起状態が,ソリトンと呼ばれるトポロジカルな励起であることを捉えた(ニュースリリース)。 物質の中には,電荷・スピン・格子とい […] 2018年12月04日 ニュース ,科学・技術
阪大,高出力レーザーで磁場の変換機構を解明 大阪大学は,高出力レーザーGekko XIIを用いて,電子が駆動する磁気リコネクションを実験的に世界で初めて明らかにした(ニュースリリース)。 磁気リコネクションは,磁場のエネルギーがプラズマのエネルギーに変換される普遍 […] 2018年12月04日 ニュース ,光関連技術 ,科学・技術
東大,強誘電体トランジスタとメモリの動作原理を解明 東京大学は,強誘電体であるHfO2(二酸化ハフニウム)をゲート絶縁膜とするトランジスタが,より低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した(ニュースリリース)。 さらにHfO2をトンネル層とする強誘電体トンネル接合(FTJ) […] 2018年12月04日 ニュース ,科学・技術
DNP,タブレットの書き心地が向上するフィルムを開発 大日本印刷(DNP)は,タブレット端末に電子ペンで入力する際のペン先の滑りを抑えて,書き心地を向上させるフィルムを開発した(ニュースリリース)。 文部科学省は2020年の学習指導要領改訂に合わせ,これからの社会で必要とな […] 2018年12月04日 ニュース ,光関連技術 ,製品・開発品
NTTら,ダイヤモンドからの超放射を実現 日本電信電話株式会社(NTT),オーストリア ウィーン工科大学,国立情報学研究所は,固体量子系からのマイクロ波の超放射を実証した(ニュースリリース)。 原子は,励起状態からもとの状態へ戻るときにエネルギーを光子として放出 […] 2018年12月04日 ニュース ,光関連技術 ,科学・技術
ドコモら,メタマテリアル反射板で5Gエリア拡大に成功 NTTドコモ(ドコモ)は,ミリ波レーダー技術を開発する米スタートアップMetawave Corp.と連携し,第5世代移動通信方式(5G)の実現に向け,11月29日に,28GHz帯5G実験装置で構築された5Gトライアルサイ […] 2018年12月04日 ニュース ,科学・技術
三菱電機ら,ノイズの影響を受けにくいSiC半導体の動作原理を考案 三菱電機と東京大学は,パワーエレクトロニクス機器に搭載されるSiCパワー半導体素子において,外部からの電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて考案した(ニュースリリース)。 パワーエレクトロニクス機器の,さらな […] 2018年12月04日 ニュース ,科学・技術
住友電工ら,SiCトランジスタで最小オン抵抗を実現 住友電気工業は,産業技術総合研究所(産総研)らとの共同研究で,炭化ケイ素(SiC)半導体を用いたV溝型スーパージャンクショントランジスタを開発し,SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した(ニュースリリース)。 同社 […] 2018年12月04日 ニュース ,科学・技術