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IGZO

IGZOの記事一覧

全9件中 1〜9件目を表示

  • 理科大ら，IGZO単結晶の電子状態を解析

    東京理科大学と高輝度光科学研究センターは，硬X線光電子分光法（HAXPES）により，InGaZnO4（IGZO）単結晶の電子状態を解析し，結晶中の酸素欠陥がIn原子の周囲に偏って存在していることを明らかにした（ニュースリ...

    2025.07.10

  • 北大，高性能透明酸化物の高電子移動度の起源解明

    北海道大学の研究グループは，超高解像度テレビ用材料の高い電子移動度の起源を解明した（ニュースリリース）。 透明酸化物半導体は，可視光線に対して無色透明であるにも関わらず，キャリア電子を導入することにより半導体の材料である...

    2022.10.11

  • 東工大，高性能で低環境負荷のp型半導体を実現

    東京工業大学の研究グループは，溶液の塗布法を用いた高性能pチャンネル薄膜トランジスタ（TFT）の開発に成功した（ニュースリリース）。 n型半導体の技術発展においては，2004年のアモルファス酸化物InGaZnO（IGZO...

    2022.02.01

  • 東大ら，IGZOでプロセッサに混載可能なメモリ開発

    東京大学，神戸製鋼所，コベルコ科研は，Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し，プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功した（ニュースリリー...

    2021.06.02

  • 東大，IGZOと不揮発性メモリを3D集積

    東京大学の研究グループは，極薄の酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを三次元集積したデバイスの開発に成功した（ニュースリリース）。 通常のメモリ配列は二次元構造であり，ネットワークのモデルが...

    2020.06.15

  • KEKら，IGZOの不純物水素の振る舞い解明

    高エネルギー加速器研究機構（KEK）と東京工業大学の研究グループは，透明半導体IGZOにおいて注目を集めている微量の不純物水素の振る舞いを明らかにした（ニュースリリース）。 ディスプレー用として広く使われている酸化物半導...

    2019.09.30

  • 理科大ら，IGZO-11の大型単結晶の合成に成功

    東京理科大学とメキシコのソノラ大学は，液晶ディスプレーに用いられる新材料，IGZOの一タイプであるInGaZnO4（IGZO-11）のセンチメートルスケールの大型の単結晶の合成に成功した（ニュースリリース）。 IGZO-...

    2019.07.02

  • 東大，IGZOを用いた強誘電体メモリーを開発

    東京大学は，8nmの金属酸化物半導体IGZOをチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリー（FeFET）の開発に成功した（ニュースリリース）。 強誘電体二酸化ハフニウム（HfO2）をゲート絶縁膜としたFeFETは，低消...

    2019.06.12

  • SEL，世界最小8KおよびフォルダブルOLEDディスプレーを開発

    世界最小8K OLEDディスプレー 半導体エネルギー研究所（SEL）は，駆動素子に同社のCAAC-IGZO（c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn-O）を用いた，有機EL（OLED）ディス...

    2018.12.14

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