絶縁膜

東北大ら，硬X線光電子分光でMgOの化学結合を解明

東北大学と高輝度光科学研究センターは，磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）の性能を決めるCoFeB/MgO磁気トンネル接合内のMgOの微視的な化学結合状態の変化を，角度分解硬X線光電子分光法（AR-HAXPES […]

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2019.06.28

名大，GaNパワーデバイス向け要素技術を加発

名古屋大学の研究グループは，縦型GaNパワーデバイスの低抵抗なゲート構造を形成するための低ダメージ溝（トレンチ）加工技術を開発するとともに，GaNパワーデバイスに使用する高性能ゲート絶縁膜を開発した（ニュースリリース）。 […]

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2018.05.21

東芝，GaN-MOSFETの信頼性を向上するプロセスを開発

東芝は，次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるGaNパワーデバイス向けに，信頼性向上に繋がるゲート絶縁膜プロセス技術を開発した（ニュースリリース）。 この技術により，閾値電圧変動等の特性変動が大幅に低減できる。この […]

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2017.12.07